Выпуск микросхем энергонезависимой статической памяти принес фирме Dallas
Semicunductor мировую известность. В корпусе микросхемы размещается кристалл микромощной
памяти, встроенный литиевый источник питания и управляющая схема, контролирующая
соответствие напряжения питания допустимым пределам. При падении напряжения питания ниже
некоторых пределов подключается внутренняя батарейка. Кроме того, управляющая схема
обеспечивает автоматическую защиту записи при пропадании питания, причем гарантируется
сохранение данных в памяти в течение 10 лет при полном отсутствии внешнего питания. Кристалл
имеет внутренний изолирующий слой, который позволяет электрически отключать литиевый
источник при хранении изделия на складе. При первом включении слой автоматически
разрушается, что обеспечивает сохранение энергии литиевого источника до момента использования.
Фирма Dallas Semiconductor выпускает энергонезависимую память как в виде
модулей, совместимых по выводам с DIP корпусами аналогичных по объему типов SRAM и EEPROM
памяти, так и в виде готовых SIMM модулей большого объема с гибкой конфигурацией 128Кх32,
256Кх16 или 512Кх8. Кроме того, фирма производит память в корпусе
PCM (PowerCap Module), который представляет собой низкопрофильный модуль с 34 выводами
для монтажа на поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (PowerCap) DS9034PC с
литиевой батарейкой.
Тип
Организация памяти
Vcc, V
Перекл. внутр. бат. - % Vcc
Тип корпуса
Время доступа, нс
Темпер. диапазон
Примечание
Стандартная энергонезависимая статическая память
DS1220AB
2K x 8
5
±5%
DIP24
100,120,150,200
Com, Ind
IL
DS1220AD
2K x 8
5
±10%
DIP24
100,120,150,200
Com, Ind
IL
DS1220Y
2K x 8
5
±10%
DIP24
100,120,150,200
Com, Ind
DS1225AB
8K x 8
5
±5%
DIP28
70,85,150,170,200
Com, Ind
IL
DS1225AD
8K x 8
5
±10%
DIP28
70,85,150,170,200
Com, Ind
IL
DS1225Y
8K x 8
5
±10%
DIP28
150,170,200
Com, Ind
DS1230AB
32K x 8
5
±5%
DIP28, PCM34
70,85,100,120,150,200
Com, Ind
IL
DS1230BL*
32K x 8
5
±5%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1230W
32K x 8
3.3
±0.3V
DIP28, PCM34
150
Com, Ind
IL
DS1230Y
32K x 8
5
±10%
DIP28, PCM34
70,85,100,120,150,200
Com, Ind
IL
DS1230YL*
32K x 8
5
±10%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1245AB
128K x 8
5
±5%
DIP32, PCM34
70,85,100,120
Com, Ind
IL
DS1245BL*
128K x 8
5
±5%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1245W
128K x 8
3.3
±0.3V
DIP32, PCM34
100, 150
Com, Ind
IL
DS1245Y
128K x 8
5
±10%
DIP32, PCM34
70,85,100,120
Com, Ind
IL
DS1245YL*
128K x 8
5
±10%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1249AB
256K x 8
5
±5%
DIP32
70,85,100
Com, Ind
IL
DS1249Y
256K x 8
5
±10%
DIP32
70,85,100
Com, Ind
IL
DS1250AB
512K x 8
5
±5%
DIP32, PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1250BL*
512K x 8
5
±5%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1250W
512K x 8
3.3
±0.3V
DIP32, PCM34
150
Com, Ind
IL
DS1250Y
512K x 8
5
±10%
DIP32, PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1250YL*
512K x 8
5
±10%
LPM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1258AB
128K x 16
5
±5%
DIP40
70,100
Com, Ind
IL
DS1258W
128K x 16
3.3
±0.3V
DIP40
150
Com, Ind
IL
DS1258Y
128K x 16
5
±10%
DIP40
70,100
Com, Ind
IL
DS1265AB
1M x 8
5
±5%
DIP36
70,100
Com, Ind
IL
DS1265Y
1M x 8
5
±10%
DIP36
70,100
Com, Ind
IL
DS1270AB
2M x 8
5
±5%
DIP36
70,100
Com, Ind
IL
DS1270Y
2M x 8
5
±10%
DIP36
70,100
Com, Ind
IL
DS2227
128Kx32,256Kx16,512Kx8
5
±10%
72pin SIP STIK
70,100,120
Com
IL
Энергонезависимая статическая память с супервизором
и контролем внутренней батареи
DS1330AB
32K x 8
5
±5%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1330WP
32K x 8
3.3
±0.3V
PCM34
150
Com, Ind
IL
DS1330Y
32K x 8
5
±10%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1345AB
128K x 8
5
±5%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1345WP
128K x 8
3.3
±0.3V
PCM34
150
Com, Ind
IL
DS1345Y
128K x 8
5
±10%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1350AB
512K x 8
5
±5%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
DS1350WP
512K x 8
3.3
±0.3V
PCM34
150
Com, Ind
IL
DS1350Y
512K x 8
5
±10%
PCM34
70,100
Com, Ind
IL
Энергонезависимая статическая память с часами реального времени
DS1243Y
8K x 8
5
±10%
DIP28
120,150,200
Com
Phantom RTC
DS1244Y
32K x 8
5
±10%
DIP28
120,150,200
Com
Phantom RTC
DS1244Y
32K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70;100
Com
Phantom RTC
DS1244W
32K x 8
3.3
±0.3V
DIP28,PCM34
120;150
Com
Phantom RTC
DS1248Y
128K x 8
5
±10%
DIP32
120,150,200
Com
Phantom RTC
DS1251Y
512K x 8
5
±10%
DIP32
120;150
Com
Phantom RTC
DS1543
8K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70;100
Com
RTC,WDT,Alarm
DS1543W
8K x 8
3.3
±0.3V
DIP28,PCM34
120;150
Com
RTC,WDT,Alarm
DS1553
8K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70;100
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1553W
8K x 8
3.3
±0.3V
DIP28,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554
32K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1554W
32K x 8
3.3
±0.3V
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556
128K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1556W
128K x 8
3.3
±0.3V
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557P
512K x 8
5
±10%
PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1557WP
512K x 8
3.3
±0.3V
PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K,WDT,Alarm
DS1642
2K x 8
5
±10%
DIP24
70,100,120,150
Com
RTC
DS1643
8K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70,100,120,150
Com
RTC
DS1644
32K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
120,150
Com
RTC
DS1646
128K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC
DS1647
512K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC
DS1742
2K x 8
5
±10%
DIP24
70,100
Com
RTC-Y2K
DS1742W
2K x 8
3.3
±0.3V
DIP24
120,150
Com
RTC-Y2K
DS1743
8K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K
DS1743W
8K x 8
3.3
±0.3V
DIP28,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K
DS1744
32K x 8
5
±10%
DIP28,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K
DS1744W
32K x 8
3.3
±0.3V
DIP28,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K
DS1746
128K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K
DS1746W
128K x 8
3.3
±0.3V
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K
DS1747
512K x 8
5
±10%
DIP32,PCM34
70,100
Com
RTC-Y2K
DS1747W
512K x 8
3.3
±0.3V
DIP32,PCM34
120,150
Com
RTC-Y2K
Примечание:
LPM (Low Profile Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами, помещаемый в
стандартную 68 выводную панельку для микросхем в корпусе PLCC
PCM (Power Cap Module) - низкопрофильный модуль с 34 выводами для монтажа на
поверхность, имеющий дополнительную съемную часть (power cap) DS9034PC с литиевой
батарейкой. Все приборы в таком корпусе имеют в обозначении суффикс P
RTC (Real Time Clock) - часы реального времени
RTC-Y2K - Y2K-совместимые часы реального времени
WDT (Watch Dog Timer) - сторожевой таймер
Alarm - генерация прерывания при совпадении текущего времени с заданным
IL - изолирующий слой для отключения внутренней батареи до первого включения Vcc
Все приборы, помеченные знаком * не рекомендуется использовать для новых разработок