Новости | Поиск | FAQ | Статьи | Схемы | Справочник | Радиодетали | Мониторы | Телевизоры | Видео | Компьютеры | Ссылки | Программы | Гостевая |
| Усилители мощности низкой частоты | |
Новости | Поиск | FAQ | Статьи | Схемы | Справочник | Радиодетали | Мониторы | Телевизоры | Видео | Компьютеры | Ссылки | Программы | Гостевая | | |
| |
Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой
двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 20 V
Pвыхmax 2,1 W
Icc0(Uвх=0) 22 mA
Rвх 120KΩ
Ку,напр. 68dB
ΔF 30Hz- 18KHz
Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccinin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AN7145L | 6V | 20V | 25mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 1W | 0,2% | 42dB |
AN7145M | 9V | 20V | 30mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 2,4W | 0,2% | 42dB |
AN7145H | 12V | 24V | 40mA | 40Hz-18KHz | ЗП | 7,5W | 0,2% | 42dB |
AN7146M | 9V | 20V | 32mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 2,3W | 0,2% | 42dB |
AN7146H | 9V | 20V | 40mA | 40Hz-18KHz | 4Ω | 4,5W | 0,2% | 42dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2
с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель
мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре
среднего класса.
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 24 V
Pвых(13V/4Ω) 5,5 W
Icc0(Uвх=0) 70 mA
Rвх 100КΩ
Ку,напр.
56dB
ΔF 30Hz-18KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
AN7158 | AN7166 | |
Uccmax | 24 V | 24 V |
Icc0(Uвх=0) | 35 mA | 30 mA |
Рвыхmах | 7,5 W | 5,5 W |
Ку,напр. | 56 dB | 52 dB |
ΔF | 30Hz-18KHz | 30Hz-18KHz |
Кг | 0,1% | 0,15% |
Rвыхnom | 4Ω | 4Ω |
Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе
SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности
низкой частоты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной
мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала)
следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 26
V
Icc0(Uвх=0) 65 mA
Рвых(15V/4Ω) 10 W
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1
с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый
по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных
магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной
выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 16 V
Icc0(Uвх=0) 60 mA
Pвыхmax 18 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1
с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной
выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 35 V
Icc0(Uвх=0) 75 mA
Pвых(26V/4Ω) 18 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08%
Rвыхnom 8Ω
Интегральная микросхема AN7171 фирмы
Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой
двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала
которого выполнены по мостовой схеме.
Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса.
Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала)
следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 15 V
Icc0(Uвх=0) 45 mA
Рвыхmах 12 W
Rвх 150 KΩ
Ку,напр. 48 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm
выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой
двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для
использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса.
В микросхемы
встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной
мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных
параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
Uccmin 1,5 V
Uccmax 4,5 V
Pвых(3V/32Ω) 35 mW
Icc0(Uвх=0) 13 mA
Ку,напр. 62 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Uвхmax 15 mV
Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05%
Uвх0 12 mV
Rвыхnom 32Ω
Интегральные микросхемы ESM231N, ТВА790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, ТСА150КВ, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N,UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы ТВА790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESM231N | 9V | 30V | 25mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 18W | 0,5% | 48dB |
ТВА790 | 6V | 12V | 6mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 0,5% | 42dB |
TBA790LA | 6V | 12V | бтА | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 2,5% | 42dB |
TBA790LB | 6V | 15V | 8mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,2W | 2,5% | 42dB |
TBA790LC | 6V | 12V | 6mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,2W | 2,5% | 42dB |
TBA790KD | 6V | 18V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 3.45W | 2,5% | 62dB |
TCA150KA | 9V | 15V | 9mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 4W | 0,5% | 62dB |
ТСА150КВ | 9V | 18V | 11mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 5,5W | 0,5% | 62dB |
TDA1042 | 9V | 18V | 10mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,2% | 62dB |
TDA1042B | 9V | 18V | 10mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,2% | 62dB |
UL1490N | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 15Ω | 0,65W | 1,5% | 46dB |
UL1491R | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 1,2W | 1,5% | 46dB |
UL1492R | 6V | 15V | 10mA | 40Hz-15KHz | 8Ω | 2,1W | 1,5% | 46dB |
UL1493R | 6V | 12V | 10mA | 40Hz-15KHz | 4Ω | 2,1W | 1,5% | 46dB |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности
низкой частоты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 12 V
Uccmax 32 V
Icc0(Uвх=0) 30 mA
Pвыхmax 20 W
Ку,напр. 52 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке.
Интегральные микросхемы НА 1374 и НА1374А фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
НА1374 | НА1374А | |
Uccmin | 8 V | 8 V |
Uccmax | 22 V | 25 V |
Icc0(Uвх=0) | 36 mA | 36 mA |
Pвыхmax | 3 W | 4 W |
Rвх | 100КΩ | 100КΩ |
Ку,напр. | 32 dB | 32 dB |
ΔF | 30Hz-20KHz | 30Hz-20KHz |
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) | 0,2% | 0,15% |
Rвыхnom | 8Ω | 8Ω |
Интегральная микросхема НА1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7
с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель
мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
класса. Переключатель SW1
выполняет функцию "MUTE". В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения
максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры
для одного канала) следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 36 mA
Pвых(12V/4Ω) 4,3 W
Rвх 120 КΩ
Ку,напр. 42 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15%
Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема НА1396 фирмы
Hitachi выполнена в корпусе SIP1
с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты
выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных
кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию
"MUTE".Некоторые из основных параметров микросхемы
следующие:
Uccmin 8 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 140 mA
Pвых(13V/4Ω) 20 W
Ку,напр. 42 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), μPC2002 (NEC) выполнены в корпусах Т0220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin | Uccmax | Icc0 | ΔF | Rвых | Pвых | Кг | Ку,напр. | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
К174УН14 | 8V | 18V | 45mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 4,5W | 0,25% | 48dB |
L142 | 5V | 40V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 20W | 0,2% | 48dB |
LM383 | 5V | 22V | 45mA | 40Hz-20KHz | 40. | 7W | 0,2% | 48dB |
LM2002 | 5V | 20V | 45mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 8W | 0,2% | 48dB |
TDA1410H | 8V | 36V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 16W | 0,2% | 48dB |
TDA1420H | 8V | 44V | 20mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 30W | 0,2% | 48dB |
TDA2002 | 8V | 18V | 45mA | 40Hz-20KHz | 2ft | 8W | 0,2% | 48dB |
TDA2003 | 8V | 18V | 44mA | 40Hz-20KHz | 10. | 10W | 0,2% | 42dB |
TDA2008 | 8V | 18V | 65mA | 40Hz-20KHz | 4Ω | 12W | 0,5% | 48dB |
ULN3701Z | 8V | 18V | 45mA | 35Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,1% | 42dB |
ULN3702Z | 8V | 26V | 80mA | 35Hz-20KHz | 4Ω | 12W | 0,1% | 42dB |
ULN3703Z | 8V | 18V | 44mA | 35Hz-20KHz | 2Ω | 10W | 0,1% | 42dB |
μPC2002 | 8V | 18V | 55mA | 40Hz-20KHz | 2Ω | 9W | 0,2% | 48dB |
Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D(SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D - SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:
Uccmin | 1,8 V |
Uccmax | 9 V |
Icc0(Uвх.=0) | 9 mA |
Pвых.(6V/4Ω) | 0,65 W |
Kу | 62 dB |
ΔF | 30Hz-18KHz |
Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz) | 0,05% |
Rвых. | 4Ω |
Интегральные микросхемы КА2202 и КА2207 (Samsung) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах TABS5 с 14 выводами. Представляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в кассетных магнитофонах, другой аудиоаппаратуре низкого класса с питанием от батарей. Основные параметры микросхем следующие:
КА2202 | КА2207 | |
Uccmin | 4 V | 5V |
Uccmax | 16 V | 20 V |
Pвыхmax | 1 W | 2,3 W |
Icc0(Uвх=0) | 7 mA | 9 mA |
Ку,напр. | 52 dB | 52 dB |
ΔF | 40Hz-18KHz | 40Hz-18KHz |
Кг(Pвых=100mW, f=lKHz) | 0,2% | 0,1% |
Rвыхnom | 4Ω | 4Ω |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральные микросхемы КА2211 и
К1А7299 (Samsung), TA7240P, TA7241P, TA7263P, TA7264P, TA7270P, TA7271P и TA7299P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12
выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты.
Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и
телевизионных приемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем КА2211,
К1А7299, TA7240P, TA7263P, TA7270P и ТА7299 расположение выводов на корпусе
нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P, TA7264P и TA7271P
инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из
основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала)
следующие:
Uccmin 10 V
Uccmax 18 V
Pвыхmax 5,8 W
Icc0(Uвх=0) 80 mA
Ку,напр. 52 dB
ΔF 30Hz-20KHz
Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2%
Rвыхnom 4Ω В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы КА22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin 9 V
Uccmax 18 V
Icc0(Uвх=0) 120 mA
Pвых.max 23 W
Ку,напр. 46 dB
ΔF 20Hz-20KHz
Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1%
Rвыхnom 4Ω
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
 |  |  |
|
|
