| Обозначение | Параметр |
| B1-B2/Iк | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется. |
| Fт | предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. |
| Cк/Uк | емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется. |
| Cэ/Uэ | емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется. |
| Rб*Cк | постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора. |
| tр | время рассасывания биполярного транзистора. |
| Uкэ(Iк/Iб) | напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб). |
| Iко | обратный ток коллектора. |
| Uкб | максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. |
| Uэб | максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. |
| Uкэ/R | максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R). |
| Iбм | предельно допустимый постоянный ток базы транзистора. |
| Iкм/Iкнас | предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе. |
| Pк | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе. |
| Pк/Pт | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт). |
| Rпк | тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора. |
| Пер | тип перехода транзистора. |
| Цок | номер рисунка с расположением выводов. |
